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二次離子質譜儀

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二次離子質譜儀

二次離子質譜儀

二次離子質譜儀是用來檢測材料的一種儀器,即是利用離子束把待分析的材料從表面濺射出來,然后再檢測出離子組分并進行質量分析,二次離子質譜儀是對微粒進行同位素分析的有力工具,是利用質譜法分析初級離子入射靶面后,濺射產生的二次離子而獲取材料表面信息的一種方法。
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PHI nanoTOF II飛行時間質譜儀?

PHI nanoTOF II飛行時間質譜儀?

  • 品牌: 日本Ulvac-Phi
  • 型號: PHI nanoTOF II
  • 產地:日本
  • 供應商:高德英特(北京)科技有限公司

    TRIFT-V nanoTOF II(三次聚集飛行時間)二次離子質譜儀是超靈敏的表面分析技術,可檢測表面分子成分和分布,元素及其同位素。所有元素和同位素,包括氫都可以用飛行時間二次離子質譜分析。由初級脈沖離子束轟擊樣品表面所產生的二次離子,經飛行時間分析器分析二次離子的荷質比,從而得知樣品表面信息。PHI nanoTOF IITM是第五代SIMS儀器,該儀器具有獨特的專利飛行時間(TOF)分析儀,它擁有市場上TOF-SIMS儀器中最大的角度和能量接收范圍,它使用了具有優良離子傳輸能力的三級聚焦半球形靜電分析器,實現了高空間分辨率和質量分辨率。PHI nanoTOF IITM還具有很高的成像能力,可以表征形貌復雜的樣品而沒有陰影效應。                                                                                                                                              A)                                                                      B)         圖1 –A)PHI nanoTOF IITM  及B)二次離子分離示意圖 特點:立體收集角度大和深景深:二次離子以不同的初始能量和角度從樣品表面飛出,因此,即使是質量完全相同的離子,在分析儀內的飛行時間也會產生差異,飛行時間差是導致質量分辨率變差的原因之一。 nanoTOF Ⅱ采用的是三重聚焦靜電分析儀(TRIFT型),可以同時矯正由初始能量和發射角的差異而發生的飛行時間差。TRIFT型分析儀的最大的優勢,就是同時實現了高質量分辨率和高檢測靈敏度,并且成像沒有陰影。                                                                              圖2(a)不同飛出角度的二次離子飛行軌跡示意圖(b)斷裂陶瓷截面示意圖及二次離子分布圖 同時實現高空間及高能量分辨模式:nanoTOF Ⅱ安裝了新開發的離子槍(對應的源為Bi,Au,Ga),空間分辨率最小能達到70納米(Bi3++)。此外,在新設計的脈沖壓縮(Bunched)機理下,可采用高質量分辨率模式,實現500納米或以下(Bi3++)的空間分辨率,其增加了三倍以上的電流密度,同時提高了靈敏度,空間分辨率和質量分辨率。圖-3 a)新型二次離子槍圖-3 b)舊型號儀器成像圖-3 c)nanoTOF II成像視野范圍最小可至5微米:下圖顯示的是在較高的空間分辨率下,PS/PMMA聚合物的成像。傳統上來說,聚合物的分子分布結構,只能用AFM觀察,但在這里,nanoTOF II也能做到。  低背景和亞穩抑制:nanoTOF II繼承了上一代的設計優點,在TRIFT質譜儀中添加了能量過濾器(Energy Slit)來實現對亞穩態離子的抑制(Metastable Rejection) ,從而降低質譜的背景噪音。比較Reflectron型和TRIFT型為基礎的質譜儀,明顯地看到Reflectron型譜儀由于不具備亞穩抑制功能,其得到圖譜背景噪音遠高于TRIFT型的譜儀的背景噪音。 圖7 -(A)以Reflectron探測到130-140m/z范圍的PTFE質譜,在主亞穩峰旁邊發現子峰。     (B)以TRIFT探測到130-140m/ z范圍的PTFE質譜,二次離子信號不受亞穩離子干擾。 多種離子槍選配實現高精度深度剖析:nanoTOF Ⅱ專用的深度分析濺射的離子槍,既有適用于無機化合物的高靈敏度分析的銫離子槍(適用于負離子分析)和氧離子槍(適用于正離子分析);也有適用于有機物薄膜深度剖析的C60離子槍槍和氬氣體團簇(Ar-GCIB)離子槍,可在高的深度分辨率下,實現高靈敏度的深度剖析。整個離子槍的應用范圍如圖4e所示。圖4-a)新型Cs離子槍圖4-b):Si/Ge多層膜的深度方向測試結果圖4-c)氬氣團簇離子槍圖4-d)Irganox多層膜的深度方向測試結果 圖4-e)各種離子槍的應用范圍 FIB-TOF三維深度分布成像:TRIFT分析儀的內在特性和優勢是可以通過對FIB銑削坑的垂直型墻直接成像而不必傾斜樣品。相對于使用傳統的濺射離子源方法,FIB使用已設置的加工程序對樣品進行FIB銑削和切片,可獲得更深層亞表面特征或缺陷信息。此外,通過使用“切片和視圖”的方法可進行TOF-SIMS 3D成像,FIB槍用來對樣品進行剖面加工而TOF-SIMS分析每一連續剖面加工層。使用這種方法得到 3D 成像可以最大限度地減少或消除濺射離子束深度剖析帶來的潛在困難。而其三維圖像重構也可以非常簡單,因為樣品在FIB加工和TOF-SIMS數據采集期間是不需要移動的。 圖5 -(左)CuW合金三維等值面疊加圖像:Cu等值面(綠色)和W等值面(藍色)(右)銅等值面(綠)和W等值面(藍色)的三維等值面疊加圖像  串聯質譜MS/MS (有機高分子材料分析必備附件):超過 m/z 200 的分子離子碎片,常規的TOF-SIMS的高質量精度和高質量分辨率不能對特征離子的元素/成分組成提供明確判定;也不能提供清楚的結構信息,包括分子片段中不飽和鍵的位置。這對于研究高分子添加劑和生物組織剖面尤為重要。專利技術的并行成像串聯質譜MS/MS選配可以同時獲得MS1和MS2質譜圖,圖像和3D成像,空間分辨率為200nm。利用1.5keV碰撞誘導解離法,得到MS2數據,可對分子結構進行高效解析。SmartSoftTM-TOF配合WinCadence軟件易于操作:nanoTOF II操作軟件采用智能化,如‘流’的設計,讓用戶按照流程順序,依次完成樣品裝載,樣品定位,設定分析條件,開始圖譜采集;并配合可視化的圖形界面,形象地展示儀器的各個部件,及儀器當前的運行狀況,實時顯示儀器的參數。讓用戶一學就會,一看就懂。圖-6 a)SmartSoftTM-TOF用戶界面圖6- b)WinCadence用戶界面 多樣化的樣品托:·         標準樣品托:有兩種100mm的正方形樣品托,分別用于前后裝樣。視應用條件選擇樣品托。·         冷熱樣品托:可用于對樣品加熱冷卻的樣品托,不僅在進樣室可加熱冷卻,在樣品臺移動時也可使用。·         真空轉移裝置:能夠在客戶的手套箱和設備的預抽室之間傳遞樣品,防止樣品與大氣接觸,適用于易于大氣反應的樣品。nanoTOF II儀器規格:Bi 作為一次離子源時:·         低質量數質量分辨率(m/Δm):硅(28Si+和28SiH+)在12000以上·         高質量數質量分辨率(m/Δm):m/z > 200,在 16,000以上·         有機材料的質量分辨率(m/Δm):PET(104 amu)在12000以上·         最小離子束直徑:70納米(高空間分辨率模式)、0.5μm(高質量分辨率模式)nanoTOF II選配串聯質譜MS/MS、氬氣團簇離子槍、C60離子槍、銫離子槍、氬/氧離子濺射槍、樣品冷卻/加熱系統、樣品高溫加熱系統、真空轉移裝置、氧噴射系統、Zalar高速旋轉系統、聚焦離子束FIB(Focused Ion Beam)、前處理室、各種樣品托、離線數據處理系統、Static SIMS Library等。·         應用:材料領域:聚合物材料(纖維、塑料、橡膠、紙張、樹脂涂料等)、金屬合金、半導體、硅酸鹽陶瓷、納米鍍層、 有機半導體OLED、OPV等。·         研發領域:半導體器件、納米器件、生物醫藥、量子結構、能源電池材料等。·         OLED膜層結構:有機膜層成分、分布和結構剖析,高質量離子碎片表征。·         薄膜和涂料:分析有機涂層,有機和無機涂料的成像分布。·         無機及半導體器件:晶圓工藝殘渣物,缺陷分析,蝕刻/清潔殘留分析,晶圓工藝中微量金屬污染物分析;摻雜元素的3D成像分析。·         磁存儲器件:介質表面的殘留物,來自于工藝的污染物,包括有機和無機物,失效分析,潤滑分析。·         藥物研究:藥物截面成像,新的藥物緩釋涂層的表征與發展。·         生命科學領域:研究組織和細胞。

二次離子質譜工作站

二次離子質譜工作站

小型二次離子質譜儀

小型二次離子質譜儀

  • 品牌: 英國Hiden Analytical
  • 型號:
  • 產地:英國
  • 供應商:北京英格海德分析技術有限公司

    儀器簡介:1.適合做多層薄膜的深度分析。 2.很好的、耐用的、普通目的的二次離子質譜儀。 3.方便使用。 4.樣品可以手動轉換,由于分析速度快所以每天可以分析一定數量的樣品。 5.我們的系統可配置快速原子槍,使我們可以輕松處理絕緣的樣品。 6.我們還可以做元素成像(就象化學地圖)和混合模式掃描,自動測量正、負和中性粒子。 7.我們的系統是典型的超高真空工作臺,很容易滿足很多其它分析的使用。 結構緊湊,但不損失性能。真正的高性價比。技術參數:質量數范圍:300,510或1000amu 分辨率:5%的谷,兩個相連的等高峰。 檢測器:離子計數檢測器,正、負離子檢測 檢測限:1:10E7 質量過濾器:三級過濾四極桿(9mm桿) 主離子槍: A,氧離子或其它氣體,能量到5KeV B,Ga離子槍,能量25KeV(選配) 空間分辨率:A:100~150um B: 50nm 取樣深度:2個單分子層(靜態) 不受限制(動態) 主要特點: 高靈敏度脈沖離子計數檢測器,7個數量級的動態范圍 SIMS 成像,分辨率在微米以下 光柵控制,增強深度分析能力 所有能量范圍內,離子行程的最小擾動,及恒定離子傳輸 差式泵3級過濾四極桿,質量數范圍至1000amu 靈敏度高 / 穩定的脈沖離子計數檢測器 Penning規和互鎖裝置可提供過壓保護 通過RS232、RS485或Ethernet LAN,軟件 MASsoft控制

二次離子質譜探針

二次離子質譜探針

  • 品牌: 英國Hiden Analytical
  • 型號: EQS
  • 產地:英國
  • 供應商:北京英格海德分析技術有限公司

    儀器簡介:EQS是差式泵式二次離子質譜(SIMS-SecondaryIonMassSpectrometer‘Bolt-On’probe),可分析來自固體樣品的二次陰、陽離子和中性粒子。采用最新技術的SIMS探針,便于連結到現有的UHV表面科學研究反應室。技術參數:應用: 靜態 /動態SIMS 一般目的的表面分析 整體的前端離子源,便于RGA和 SNMS 兼容的離子槍/ FAB 槍 成分/污染物分析 深度分析 泄漏檢測 與Hiden SIMS 工作站兼容主要特點: 高靈敏度脈沖離子計數檢測器,7個數量級的動態范圍 SIMS 成像,分辨率在微米以下 光柵控制,增強深度分析能力 45°靜電扇形分析器, 掃描能量增量 0.05 eV/ 0.25eV FWHM. 所有能量范圍內,離子行程的最小擾動,及恒定離子傳輸 差式泵3級過濾四極桿,質量數范圍至2500amu 靈敏度高 / 穩定的脈沖離子計數檢測器 Penning規和互鎖裝置可提供過壓保護 通過RS232、RS485或Ethernet LAN,軟件 MASsoft控制

Waters Xevo TQD 三重四極桿質譜

Waters Xevo TQD 三重四極桿質譜

  • 品牌: 美國沃特世
  • 型號: Xevo TQD
  • 產地:美國
  • 供應商:沃特世科技(上海)有限公司

    耐用、穩定而可靠的Xevo TQD沃特世整套UPLC/MS/MS常規定量應用解決方案可確保系統達到最高的靈敏度、選擇性和穩定性而且操作簡便。借助無與倫比的穩定性使儀器系統的正常運行時間達到最大化加快靈敏穩定的方法的開發速率降低復雜度,提高易用性并確保分析結果始終正確最大限度增加處理量,同時又不會降低數據質量既擁有當今最寬泛的電離能力,又著眼于未來的創新檢驗借助無與倫比的穩定性使儀器系統的正常運行時間達到最大化快速不間斷的分析需要一臺能始終給出準確結果的既可靠又穩定的儀器系統。加快靈敏穩定的方法的開發速率您不會再受到與基質效應相關的復雜因素和不確定性的干擾。得益于RADAR?,方法開發成為一種智能化過程,它將定量數據與定性數據相結合以直觀顯示完整樣品,從而在樣品制備和色譜方法開發過程中實現了數據導向性決策。在RADAR模式下,您既可監測樣本中的基質干擾物、代謝物、雜質和降解產物,同時又可準確對目標化合物定量。確保結果始終正確準備——IntelliStart和Quanpedia可快速對系統進行自動設置和檢查,同時自動生成所有的MRM通道,使得系統性能最大化。分析——QCMonitor將主動監控實時數據,當超出用戶指定的任何設置限定時采取措施。解讀——TargetLynx可自動進行定量分析和結果報告,并能自動標注十分清晰的標記以降低出錯幾率。決定——TrendPlot使您可直觀查看多天、多周或多月內的結果;這為分析數據趨勢和長期系統性能提供了寶貴信息。最大限度增加處理量,同時又不會降低數據對UPLC的典型窄峰(峰寬2-3秒)進行準確定量需要較高的采集速度以確保數據質量。不論您在同一方法中只分析一種化合物,還是分析數百種化合物,T-Wave碰撞室均可確保UPLC在色譜分析速度和分離度方面的優勢得到充分發揮。永不過時的創新技術Xevo系列的通用離子源結構擁有最廣泛的電離技術范圍以及剛剛面世的電離技術創新成果。您在試驗選項方面將擁有無限選擇。當您需要某些選項而又時間緊迫時,可在離子源之間進行快速轉換,幾分鐘即可使用。注意:本頁面內容僅供參考,所有資料請以沃特世官方網站(www.waters.com)為準。

AB Sciex API 4000+ ? LC/MS/MS 系統

AB Sciex API 4000+ ? LC/MS/MS 系統

  • 品牌: 美國SCIEX
  • 型號: API 4000+
  • 產地:美國
  • 供應商:AB SCIEX公司

    創建質譜定量的黃金標準API 4000+? 三重四級桿串聯質譜系統    行業黃金標準的API 4000+? LC/MS/MS系統能為藥物開發科學家提供全面支持,包括藥物研發到臨床試驗提供高質量的定量分析和定性分析數據。此系統從業界廣為認可和考驗的API 4000?發展而來,提供更加優異的靈敏度和重現性,并提高整體性能的耐用性,可確保在食品、環境樣品中的藥物殘留痕量分析、刑偵毒物樣品分析以及臨床研究分析中數據的可靠性。結合功能強大的Analyst?軟件,此系統可提供藥物開發中對DMPK信息的快速訪問。    API 4000+?系統是從進一步提升API 4000?系統的性能發展而來,確保AB SCIEX高性能和穩定耐用的高貴品質。API 000+?系統包括:新設計的真空系統,使整個質譜系統更穩定可靠先進設計的電子系統,確保數據質量創新的Turbo V?離子源—離子化效率高,高靈敏度的定量分析,適應寬范圍的液相流速LINAC?碰撞室技術—快速掃描功能專利的氣簾接口—降低交叉污染,提高離子化效率可適應液相的高流速性能—降低離子抑制現象,自清潔探頭設計,可靠的接口設計為高通量、高效率分析提供了保證可選的DuoSpray?離子源—快速方法開發和增加分析通量可選的PhotoSpray? 離子源—擴展了儀器的應用領域行業標準的視窗分析Analyst? 軟件也是GLP認證的工具,也符合21 CFR PART 11法規可選的NanoSpray? 離子源—提高了低流速條件下

TRIPLE QUAD? 3500質譜系統

TRIPLE QUAD? 3500質譜系統

  • 品牌: 美國SCIEX
  • 型號: TRIPLE QUAD? 3500
  • 產地:美國
  • 供應商:AB SCIEX公司

    經典傳承的AB SCIEX Triple Quad? 3500質譜系統  從今天起…助力您實驗室的成功您所需要的卓越性能先進設計—高效性能、高效率 每針進樣采集更多的化合物—絕對可靠的定量從不丟失色譜峰– 高靈敏度和高質量數據采集方法出色的運行時間–檢測更多的樣品,提高實驗室生產效率,并且維護次數更少快速獲得結果- 快速,高通量,簡化的數據處理工具服務與支持資源助力您的成功  Triple Quad? 3500質譜系統具有最優化的性能,并采用先進的設計和電子器件,增強了它的性能。您所期望的AB SCIEX儀器的耐用性和重現性由經典的Turbo V?源和氣簾氣?接口技術得以實現。一次進樣采集更多對MRMs,更節省空間的設計彎曲 LINAC?碰撞池通過更有效的離子聚焦提高靈敏度高壓Q0和QJET?離子導入設計兼容快速LC,并實現更廣泛的化合物覆蓋度快速的eQ?電子系統高重復性和準確度的AcQuRate? 脈沖計數檢測器化合物質量范圍:5-2000 Da長時間運行臟樣品,仍然能獲得穩定的結果Turbo V?源和氣簾氣?接口

二次離子飛行時間質譜

二次離子飛行時間質譜

  • 品牌: 英國Kore
  • 型號: SurfaceSeer
  • 產地:英國
  • 供應商:香港皆能(亞洲)有限公司

    SurfaceSeer :具有高通量分析功能的飛行時間二次離子質譜儀,用于研究樣品特定性能的理想工具SurfaceSeer 是Kore公司集多年研發經驗生產出獨特的儀器,第一次將材料表面分析技術引入到可負擔得起的日常常規分析范圍中。可在最短的分析時間內生成化學圖像,突破常規實驗室儀器的極限!SurfaceSeer分析儀采用功能強大的二次離子質譜SIMS技術,結構緊湊,僅需一個標準電源,可放置于任何場所使用。SurfaceSeer應用廣泛,是一臺高性價比的實驗室型材料表面分析儀器。SurfaceSeer相對較低的維護成本和較高的樣品分析速度,保證其單個樣品分析成本明顯低于商業實驗室的SIMS。SurfaceSeer是研究人員負擔得起的、具有表面成像功能 (可選深度剖析) 的儀器。TOF-SIMS 二次離子質譜儀 (SIMS) 是材料表面分析最重要的技術之一,SIMS可以揭示表面及近表面原子層的化學組成。所獲取的信息遠超過簡單的元素分析,可以識別有機組分的分子結構。TOF-SIMS 的關鍵功能是原位無損分析表面區域 (靜態SIMS)。TOF-SIMS使用掃描脈沖聚焦探頭束(成像SIMS)建立無損表面的化學成像。使用其它離子束逐步刻蝕表面,對表面作深度剖析(動態SIMS)。只需極少的樣品前處理,極短的時間內就可獲得高靈敏度的分析結果 。SurfaceSeer特點l 單層表面信息l 檢測所有元素l 識別有機物l 高靈敏度分析l 快速化學成像l 薄膜深度剖析l 設計緊湊l 經濟適用,友好的用戶界面SurfaceSeer擁有功能強大的樣品處理裝置提供各種樣品支架,可裝載不同厚度和直徑的樣品。SurfaceSeer檢測未知樣品如同檢測已知樣品那樣簡單,對未知樣品具有超強的分析性能, 可研究微小區域的表面,并可提取更多的有機樣品信息。SurfaceSeer質譜儀可同時分析所有元素及有機物,可消除有機物和元素干擾,使譜圖更清晰,檢測限更低,能更有效地分析材料樣品。 SurfaceSeer所有儲存的數據都能用于溯源性分析。數據處理軟件允許分析數據和樣品的化學構成信息進行全面的交互提取。SIMS擁有的常見材料譜庫可幫助識別未知物。SurfaceSeer應用領域:l 表面涂層與處理l 電子元件l 半導體l 電極與傳感器l 潤滑劑l 催化劑l 粘合劑l 薄膜l 包裝材料l 腐蝕研究l 大學教學與科研SurfaceSeer-I能以正負TOF-SIMS模式產生“化學地圖”,其分析的空間分辨率約為0.5微米,質量分辨率優于3000(3000以上)。SurfaceSeer-S是以正負TOF-SIMS模式進行分析研究的“利器”,質量分辨率優于2500(2500以上)。詳細技術指標,敬請來電咨詢!

SAI MiniSIMS alpha二次離子質譜儀

SAI MiniSIMS alpha二次離子質譜儀

  • 品牌: 英國SAI
  • 型號: MiniSIMS alpha
  • 產地:英國
  • 供應商:北京華沛智同科技發展有限公司

    MiniSIMS alpha二次離子質譜儀是MiniSIMS系列的入門級儀器。這種高樣品量的儀器是開發樣品特定性質的理想選擇。不論是按照已知標準進行質量控制,還是研究/工藝優化中多種樣品的比較分析,該儀器都非常高效。這種情況下,預設分析條件意味著不同的操作者可以獲得相同數據。通常情況下,每個樣品的分析時間最短5分鐘。MiniSIMS alpha二次離子質譜儀可以配置輔助電子探針來分析絕緣性樣品。MiniSIMS alpha二次離子質譜儀與MiniSIMS所有性能一樣,輔助電子探針可以自動操作,使用方便。寬范圍的分析能力每臺MiniSIMS alpha二次離子質譜儀都具有三種操作方式:靜態表面模式(靜態SIMS)、成像模式(成像SIMS)、深度成像模式(動態SIMS)。這不同于其他昂貴的SIMS儀器,那些儀器通常被優化成或者只用于表層的靜態分析,或者只用于次表面區域的動態深度分析。

MiniSIMS ToF飛行時間二次離子質譜儀

MiniSIMS ToF飛行時間二次離子質譜儀

  • 品牌: 英國SAI
  • 型號: MiniSIMS ToF飛行時間二次離子質譜儀
  • 產地:英國
  • 供應商:北京華沛智同科技發展有限公司

    MiniSIMS ToF飛行時間二次離子質譜儀在探測未知樣品、研究較小區域的表面特征、從有機樣品中獲取更多信息方面。性能卓越探測未知樣品飛行時間質譜(ToF)的引入使得MiniSIMS的性能躍升到一個新的水平。MiniSIMS ToF飛行時間二次離子質譜儀對未知樣品的測定與測量已知組分一樣容易,這使得該儀器非常適合研究性應用。在失效分析中,比如污染鑒定,發現的額外細節有助于準確的查明問題的確切原因。創新的設計使得該儀器使用簡便、結構緊湊。不僅處理功能強大,儀器操作也進一步簡化,在實際分析中,基本不需要操作者的判斷。如果需要的話,可存儲的完整的三維數據可供有經驗的操作者進行進一步評估。高級分析MiniSIMS ToF飛行時間二次離子質譜儀可以同時分析各種元素和有機物質,更有效地利用了樣品材料。儀器性能的提高保證了對較小區域特征的全面分析。這種模式下,有機光譜的質量得到了顯著提高。這種優勢與拓寬的光譜質量范圍相結合,獲得了更多關于有機材料的詳盡信息,便于與數據庫中的譜圖進行對比分析。MiniSIMS ToF飛行時間二次離子質譜儀同樣能夠區分常規有機物和元素的干擾,使數據更加清晰,檢測限更低。

CAMECA 大型二次離子質譜儀

CAMECA 大型二次離子質譜儀

  • 品牌: 法國Cameca
  • 型號: IMS 1280-HR
  • 產地:法國
  • 供應商:法國cameca公司

    IMS 1280-HR是大型磁質譜二次離子質譜儀,具有超高靈敏度,針對地質科學與環境領域廣泛的分析需求而專門設計的。在地質學定年、穩定同位素分析、痕量元素以及小粒子分析等方面的分析展現了無與倫比的性能。 K/Ca dating: MR>30,000 (monocollection) Rb/Sr dating: MR>20,000-40,000 (monocollection) Mg & metal isotope ratios: MR>5000 (multicollection) 繼承了IMS1280的諸多優勢: 靈活多用的多接受系統,尤其適于用于同位素分析。 兩種具有反應活性的的一次離子源,在數據采集的同時可對其進行監控。 具有高度再現能力的樣品臺 NMR高分辨磁場控制 獨有的圖像功能 完全計算機化自動工作,可遠程監控 1280-HR的新增性能: 通過加入一個新的六極靴,對耦合進行了重新設計,減少了軸上二次畸變。 多接受模式下,峰形得到很大的改善。 優化了真空以降低背底,有利于探測輕元素,氫化物。 在單接受模式以及高質量分辨率下,通過靜電壓跳峰,提高了穩定性 以上儀器的改進增強了高質量分辨率下的的傳輸型,因此提高了整體性能。 詳情參見英文版介紹,不容錯過:http://www.cameca.com/instruments-for-research/ims1280.aspx

CAMECA 二次離子質譜儀

CAMECA 二次離子質譜儀

  • 品牌: 法國Cameca
  • 型號: IMS 7f
  • 產地:法國
  • 供應商:法國cameca公司

    CAMECA 二次離子質譜儀(IMS 7f)的主要優勢在于其極高的靈敏度、高空間分辨率(亞微米級橫向分辨率,納米級深度分辨率)以及同位素分辨本領。因其 ppb 水平檢測極限以及高分析速度和可靠性,IMS 7F 成為遍布全球的眾多獨立分析實驗室的主力軍。 CAMECA的SIMS技術領先世界。無與倫比的性能得益于其獨有的基于磁扇區原理的儀器設計。 靈敏度:CAMECA IMS 7f 工作是的有效離子產率(useful yields- secondary ion detected per atomsputtered)比四極桿分析器高達100倍。做一次通常的深度剖析或者成像分析,以獲得同樣靈敏度所用時間相比,是TOF類SIMS的千分之一。(或反過來說,同樣的分析時間,TOF SIMS的靈敏度要低達1000倍)。 質量分辨: CAMECA IMS 7f 可以分辨絕大多數質譜中存在的質量干擾,例如,31P與H30Si, 56Fe與28Si or 17O與H16O。這些干擾使得低質量分辨率質譜儀(比如四極桿類型)的探測極限大打折扣。CAMECA的SIMS獲得高質量分辨率的同時并不會降低分析速度,這是TOF質譜儀無法做到的。 離子成像:CAMECA IMS 7f 可以對所選質量給出顯微鏡模式的圖像,分辨率達到一微米。從時間上看,這種模式下獲得圖像的速度比常規的掃描圖像模式(microprobe mode)要高幾個數量級。這種模式下還可以大大縮短調試設備的時長。 若想獲得亞微米級分辨率的圖像,CAMECA IMS 7f 需要采用微探針模式,依靠動態光學傳輸以及高亮離子源達到業界最高水準的靈敏度和分辨率。 高分析效率: A high efficiency optical gate is used to eliminate crater edge effects for combining high sputter rate and high dynamic range in the depth profile mode. Full computer control of the instrument allowing unattended analyses with different analysis recipe 詳情參見英文網站,精彩不容錯過:http://www.cameca.com/instruments-for-research/ims7f.aspx

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