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橢偏儀/橢圓偏振儀

賽默飛化學分析儀器
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橢偏儀/橢圓偏振儀

橢偏儀/橢圓偏振儀

橢偏儀/橢圓偏振儀是一種用于探測薄膜厚度、光學常數以及材料微結構的光學測量儀器。由于測量精度高,適用于超薄膜,與樣品非接觸,對樣品沒有破壞且不需要真空,使得橢偏儀成為一種極具吸引力的測量儀器。橢偏儀/橢圓偏振儀現在已被廣泛應用于材料、物理、化學、生物、醫藥等領域的研究、開發和制造過程中。可測材料:半導體、介電材料、有機高分子聚合物、金屬氧化物、多層膜物質和石墨烯等等。
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HORIBA.AutoSE.全自動快速橢偏儀

HORIBA.AutoSE.全自動快速橢偏儀

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: AutoSE
  • 產地:法國
  • 供應商:優尼康科技有限公司

    全自動化&高集成度&可視化光斑 操作簡單,測試快速,為一般操作工人設計 新型的全自動薄膜測量分析工具可在幾秒鐘內完成全自動測量和分析,并輸出分析報告。是用于快速薄膜測量和器件質量控制理想的解決方案。

上海致東全光譜橢偏儀

上海致東全光譜橢偏儀

上海致東全光譜橢圓偏光測厚儀

上海致東全光譜橢圓偏光測厚儀

  • 品牌: 上海致東
  • 型號: SE
  • 產地:上海
  • 供應商:致東光電科技(上海)有限公司

    第一臺國人自行開發 波長范圍:360nm-950nm 快速量測:<6Sec 全自動量測(Recipe Driver) 精密量測膜厚及折射率(反射率:option) 各種功能的光學常數量測和光譜特性分析 橢偏參數精度:≤±0.01 for Tan(φ);≤±0.01 for Cos (Δ) 可直接量測鍍膜在透明基板,而無需在基板背面打毛及染黑(ITO on Glass、SiN on Glass)

上海致東HIT異質結光學評價專用機

上海致東HIT異質結光學評價專用機

  • 品牌: 上海致東
  • 型號: OLED、TFT-LCD、Touch Panel
  • 產地:上海
  • 供應商:致東光電科技(上海)有限公司

    針對HIT(異質結)太陽能電池片加以客制化定制量測ITO,n+aSi,aSi,膜厚以及(n,k),反射率(R%)以及穿透率(T%),4PP... SR , R% (Spectroscopic Reflectometer) SE (Spectroscopic Ellipsmeter) 4PP ,Ω/cm2(Four Point Probe) ST,T%(Spectroscopic Transmittance)

上海致東全光譜橢圓偏光測厚儀

上海致東全光譜橢圓偏光測厚儀

上海致東全光譜橢圓偏光測厚儀

上海致東全光譜橢圓偏光測厚儀

  • 品牌: 上海致東
  • 型號: SR-PV-1400x1200
  • 產地:上海
  • 供應商:致東光電科技(上海)有限公司

    由橢圓儀校正 量測色度坐標 量測時間1-3s ,精確度高 國內自行研發,價格合理 量測膜厚(N.K)值 .量測穿透率(T%).反射率(R%) FFT for very thick layer (up to 50 um)

上海致東全光譜橢偏儀

上海致東全光譜橢偏儀

上海致東全光譜橢偏儀

上海致東全光譜橢偏儀

一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

  • 品牌: 日本堀場
  • 型號: Auto SE
  • 產地:法國
  • 供應商:廈門通創檢測技術有限公司

    全自動化&高集成度&可視化光斑一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE新型的全自動薄膜測量分析工具。采用工業化設計,操作簡單,可在幾秒鐘內完成全自動測量和分析,并輸出分析報告。是用于快速薄膜測量和器件質量控制理想的解決方案。1主要特點1. 液晶調制技術,無機械轉動部件,重復性,信噪比高2. 專利技術成像系技術,所有樣品均可成像,對于透明樣品,自動去除樣品的背反射信號,使得數據分析更簡單.3. 反射式微光斑,覆蓋全譜段,利于非均勻樣品圖案化樣品測試4. 全自動集成度高,安裝維護簡便5. 一鍵式操作軟件,快速簡單6. 自動MAPPING掃描,分析樣品鍍膜均勻性2技術參數1. 光譜范圍:450-1000 nm2. 多種微光斑自動選擇3. 專利光斑可視技術,可觀測任何樣品表面4. 自動樣品臺尺寸:200mmX200mm;XYZ方向自動調節; Z軸高度>35mm5. 70度角入射6. CCD探測器>>>>相關推薦橢圓偏振光譜入門手冊測量膜厚、光學常數的強大工具您可了解:1. 橢圓偏振光譜的概念及應用領域2. 適用的樣品及可獲取的信息3. 常見的橢偏儀類型及優勢分析4. 測量、數據分析時的常見問題復制鏈接至新瀏覽器打開下載入門手冊:http://www.horiba.com/cn/scientific/download-cn/1/

研究級經典型橢偏儀 UVISEL

研究級經典型橢偏儀 UVISEL

  • 品牌: 日本堀場
  • 型號: UVISEL
  • 產地:法國
  • 供應商:廈門通創檢測技術有限公司

    儀器簡介: 20多年技術積累和發展的結晶,是一款高準確性、高靈敏度、高穩定性的經典橢偏機型。即使在透明的基底上也能對超薄膜進行最精確的測量。采用PEM相位調制技術,與機械旋轉部件技術相比,能提供更好的穩定性和信噪比。技術參數:可選光譜范圍: * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多種實用微光斑尺寸選項 *探測器:分別針對紫外,可見和近紅外提供優化的PMT和IGA探測器 *自動樣品臺尺寸:多種樣品臺可選 *自動量角器:變角范圍35° - 90°,全自動調整,最小步長0.01°主要特點: *50KHz 高頻PEM 相調制技術,測量光路中無運動部件 *具備超薄膜所需的測量精度,超厚膜所需的高光譜分辨率 *具有毫秒級超快動態采集模式,可用于在線實時監測 *自動平臺樣品掃描成像、變溫臺、電化學反應池、液體池、密封池等多種附件 *配置靈活

美國Gaertner激光型橢偏儀,STOKES Ellipsometer

美國Gaertner激光型橢偏儀,STOKES Ellipsometer

  • 品牌: 美國Gaertner
  • 型號: Model LSE-2A2W, LSE
  • 產地:美國
  • 供應商:賽倫科技(北京)有限責任公司

    high speed film thickness system measures routinely in less than a second! Tilt-free, focus free, hands-off operation for similar wafers. Fastest possible instrument for thin film measurement.

美國AST橢偏儀

美國AST橢偏儀

  • 品牌: 美國Angstrom Sun
  • 型號: SE200BM/SE300BM/SE450BM/SE500BM
  • 產地:美國
  • 供應商:賽倫科技(北京)有限責任公司

    美國賽倫科技為AST在中國地區的授權總銷售服務商,賽倫科技在上海,北京分別設有辦事處。美國AST (Angstrom Sun Technologies Inc)是世界主要針對科研單位提供:spectroscopic ellipsometer (SE), spectroscopic reflectometer (SR) and Microspectrophotometer (MSP)的知名供應商。客戶遍布全球主要科研大學及主要半導體廠商:NISTISMINASAJPLMarshall Space CenterAir ForceMITColumbia UniversityUC BerkeleyGeorgia TechUniversity of VirginiaUSTC,China...Bell LaboratoriesHPGELockheed MartinCorningApplied MaterialsFirst SolarDow ChemicalSamsungTexas InstrumentsNational Semiconductor...美國賽倫科技上海辦事處吳惟雨/Caven Wu Cell:13817915874QQ:185795008 [email protected]上海市黃浦區陸家浜路1378號萬事利大廈1102室200011產品總述: Functions SpectroscopicReflectometer (SR)Microspectrophotometer (MSP) SpectroscopicEllipsometer (SE) Wavelength Range 190 to 1700 (or 2300) nm 190 to 1700 (or 2300) nm 190 nm to 30 m Measurable Parameters Film Thickness 20 to 250m 20 to 50m 10 to 10m Optical Constants N & K N & K N & K R/T/A Yes Yes Geometry Yes Digital Imaging Yes Main Features Low Cost, Fast Measurement, Wide Dynamic Range Down to 5 um Spot Size on any Patterned Structure Complicated Layer Stack Options Wavelength Extension, Mapping Stage, Heating/Cooling Stage Unique Options Large Spot Set up for In-Line Metrology Applications Raman & Fluorescence Add-on Set-ups and optional smaller spot size 簡介: Spectroscopic ellipsometry (SE) is a powerful technique to precisely measure thin film thickness, determine optical constants, investigate surface and interface phenomenon and many other physical, chemical and optical properties of materials. Angstrom Sun Technologies Inc designs and manufactures high quality spectroscopic ellipsometer systems with various options for different applications. Besides ellipsometer system itself, the advanced analysis software is essential to extract the desired information as above-mentioned, such as thickness, roughness, alloy concentration and dielectric constants. TFProbe 3.0from us offers powerful analysis functions for ellipsometry sensitivity study, photometry / ellipsometry simulation and data regression. Unique but configurable mode allows different users to access different level and suitable for both R&D and production quality control purpose. Models are specified based on wavelength ranges for different applications. The following graph shows available models for standard configurations. In addition, Model 500 simply covers a range of both Model 100 and 400. Customized products are available with wavelength range extension further down to DUV or Infrared (IR) ranges. Normally: Model 100 covers a wavelength range from DUV to NIR range up to 1100nm. Model 200 covers DUV and Visible range. Model 300 covers Visible range, starting from 370nm to 850nm Model 400 covers NIR range starting from 900nm typically Model 450 covers Vis to NIR range, starting from 370nm up to 1700nm typically Model 500 covers DUV to NIR range, up to 2500nm Model 600 covers NIR to IR range (1.7um to 17um or 1.7um to 30um) Wavelength range coverage depends on several factors such as light source, detectors, optics used in system, light delivery method (using fibers or not). Because of these factors, all tools can be customized based on specific application. For example, NIR range can be covered up to 1700nm or 2200nm or 2500nm etc. DUV range can be down to 190 nm.一。SE橢偏儀主要型號 ==================================Model SE300BM, 400-1100nm, no mapping, Model SE200BM, 250-1100nm, no mappingModel SE450BM, 400-1700nm, no mappingModel SE500BM, 190-1700nm, no mapping6" stage mapping, adds $20K. 8" stage mapping, adds $22K. ==================================== 設備型號說明: Example Model: SE200BA-M300 SE: Spectroscopic Ellipsometer 200: Indicates B: Detecting Type A: Scanning monochromator with single element detector B: Array Type detector with spectrograph or interferometer A: Variable Incident Angle Type A: Automatic variable angle with precision Goniometer and computer controlled M: Manually adjustable incident angle at 5 degree interval M: Mapping Stage 300: Maximum mapping sample sizeOptions: Wavelength Extension to VUV or IR Range Stage Size Probing beam Spot size Photometry Heating/Cooling Stage Mapping stage in X-Y or Rho-ThetaApplications: Semiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline Si Solar Cell Industry Medical device fabricationBackground on Ellipsometry: There are many techniques for characterizing materials, each having its own advantages and disadvantages and each being uniquely able to reveal material properties that other techniques can't access. Spectroscopic ellipsometry (SE) is an optical technique that is particularly flexible in that it can be used to determine the optical and physical properties of a wide variety of thin-film materials. Its ability to do this without contact or damage to the material of interest has seen it become routinely used in R&D laboratories and within manufacturing facilities for monitoring thin film growth and deposition processes. SE relies on the determination of the polarization state of a beam of polarized light reflected from the sample under characterization. When performing SE measurements, the polarization state is determined at many discrete wavelengths over a broad wavelength range. The change in the polarization state can be traced to the physical properties of the thin film by means of a model. Characteristics such as layer thickness, surface roughness, refractive index (n) and extinction coefficient (k) of the materials can be determined with excellent precision through regression analysis. The instrument determines two ellipsometry angles Ψ and Δ, which describe the change in the polarization state of the beam upon reflection from the sample. The ratio of the amplitude of the polarization within the plane of incidence (P) to the amplitude of the polarization perpendicular to the plane of incidence (S) is represented by Ψ. The phase retardation between the two polarization vectors P and S is represented by Δ. Changes in Δ and Ψ essentially depend upon the optical constants, n and k, of the layer materials and substrate, physical thickness of the individual layers and surface roughness. A regression analysis allows the determination of these parameters. SE data for Δ and Ψ are obtained at a number of incident angles in a plane normal to the sample surface and typically at 100-200 different wavelengths for each angle. SE instruments use a white light source and individual wavelengths are selected for detection by either a motor driven monochromator, or a multi-channel detector that can detect many wavelengths simultaneously. Increasing the number of angles and wavelengths at which data are acquired improves analysis precision, especially for complicated epitaxial structures. Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice2. * Film property, surface quality and layer stack dependent3. Customized system available for special applications4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 二.Microspectrophotometer(微光斑薄膜測試儀)MSP100 Microspectrophotometer and Film Thickness Measurement SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesFeatures:Easy to operate with Window based software Advanced DUV optics and rugged design for highest uptime and the best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Affordable, portable and small footprint table top design Measure film thickness and Refractive Index up to 5 layers over micron size region Allow to acquire reflection, transmission and absorption spectra in milliseconds Capable to be used for real time spectra, thickness, refractive index monitoring System comes with comprehensive optical constants database and library Advanced Software allows user to use either NK table, dispersion or composite model (EMA) for each individual film Integrated Vision, spectrum, simulation, film thickness measurement system Apply to many different type of substrates with different thickness up to 200mm size Deep ultraviolet light allows to measure film thickness down to 20 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface Advanced Imaging software for dimension measurement such as angle, distance, area, particle counting and more Various options available to meet special applicationsSystem Configuration:Model: MSP100RTM Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: High power DUV-Visible Automatic Stage: Black Anodized Aluminum Alloy with 5”x3” net travel distance and 1m resolution, program controlled Motorized Z focus drive and X-Y-Z joystick Long Working Distance Objectives: 4x, 10x, 15x(DUV), 50x Communication: USB Measurement Type: Reflection/Transmission spectra, Film thickness/refractive index and feature dimensions Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 16’x16’x18’ (Table top setup) Weight: 120 lbs total Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 250 to 1000 nm Wavelength Resolution: 1nm Spot Size: 100m (4x), 40m (10x), 30m (15x), 8m (50x) Substrate Size: up to 20mm thick Measurable thickness range*: 20 to 25 m Measurement Time: 2 ms minimum Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: < 2 (1 sigma from 50 thickness readings for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: TopWavelength extension to to Further DUV or NIR range Higher power DUV optics for smaller spot size Customized configuration for special applications Heating and Cooling Stage for dynamic study Optional stage size holding samples up to 300mm Higher wavelength range resolution down to 0.1nm Various filters for special applications Add-on accessories for fluorescence measurement Add-on accessories for Raman applications Add-on accessories for polarizing applicationsApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Forensics, Biological films and materials Inks, Mineralogy, Pigments, Toners Pharmaceuticals, Medial Devices Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. Measured Transmission Spectra from Three Filters 2. Measured Film Thickness 3. Measured Reflection Spectrum over a MEMS Mirror 4. Mapped Thickness Uniformity over 4" wafer Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 三. SR薄膜反射儀SRM300 Film Thickness Mapping SystemFeaturesSystem ConfigurationsSpecificationsOptionsApplications Application ExamplesMore InformationFeatures: Film Thickness Measurement - SRM300 Film Thickness Gauge When you need an accurate thin film thickness measurement our SRM300 allows you to map film thickness and refractive index up to 5 layers thick. No need to worry about complicated equipment since the SRM300 is easy to setup and operate. It uses Windows based software, so most people are already familiar with the look and feel of the operating system. This film thickness gauge can handle various types of geometry substrate up to 300mm in diameter and various types of mapping patterns such as linear, polar, square or even arbitrary coordinates. The array based detector system ensures the fastest film thickness measurement. With its advanced optics and rugged design you can always be sure to get the best system performance. Easy to set up and operate with Window based software Various types of geometry substrate up to 300mm in diameter Various types of mapping pattern such as linear, polar, square or arbitrary coordinates Advanced optics and rugged design for best system performance Array based detector system to ensure fast measurement Map film thickness and Refractive Index up to 5 layers System comes with comprehensive optical constants database and library Include commonly used recipes Advanced TFProbe Software allows user to use either NK table, dispersion or effective media approximation (EMA) for each individual film. Upgradeable to MSP (Microspectrophotometer) mapping system with pattern recognition, or Large Spot for mapping over patterned or featured structure (with Zonerage Model) Apply to many different type of substrates with different thickness 2D and 3D output graphics and user friendly data management interface with statistical resultsSystem Configuration:Model: SRM300-300 Detector: CCD Array with 2048 pixels Light Source: DC regulated Tungsten-Halogen Light Delivery: Optics Stage1: Black Anodized Aluminum Alloy Vacuum chuck holds 200 mm wafer Communication: USB & RS232 Software: TFProbe 2.2M Measurement Type: Film thickness, reflection spectrum, refractive index Computer: Intel Core 2 Duo Processor with 200GB Hard drive and DVD+RW Burner plus 19” LCD Monitor Power: 110 240 VAC /50-60Hz, 3 A Dimension: 14”(W) x 20”(D) x 14”(H) Weight: 100 lbs Warranty: One year labor and partsSpecifications: Wavelength range: 400 to 1050 nm Spot Size: 500 m to 5mm Sample Size: 300 mm in diameter Substrate Size: up to 50mm thick Number of Layers*: Up to 5 films Measurable thickness range*: 50 nm to 50 m Measurement Time: 2ms - 1s /site typical Positional Repeatability: ~1 m Accuracy*: better than 0.5% (comparing with ellipsometry results for Thermal Oxide sample by using the same optical constants) Repeatability*: < 2 (1 sigma from 50 thickness readings at center for 1500 Thermal SiO2 on Si Wafer)Options: Top Additional Models with Wavelength Extension to DUV or NIR Range: SRM100: 250nm - 1000nm SRM400: 900nm - 1700nm SRM500: 400nm - 1700nm Other Sample Size: 200mm wafer (SRM300-200) Customized size: Available Large Spot Accessories for featured structure measurement Small spot accessories for highly non uniform samplesApplications: TopSemiconductor fabrication (PR, Oxide, Nitride..) Liquid crystal display (ITO, PR, Cell gap…..) Biological films and materials Optical coatings, TiO2, SiO2, Ta2O5….. Semiconductor compounds Functional films in MEMS/MOEMS Amorphous, nano and crystalline SiApplication Examples: Top1. 2D thicknesses plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) 2. 2D contour plot for Nitride layer in a three layer stack (Nitride-Oxide-Nitride on Glass) Note:1. System configuration and Specifications subject to change without notice 2. * Film property, surface quality and layer stack dependent 3. Customized system available for special applications 4. TFProbe is registered trademark of Angstrom Sun Technologies Inc. 美國賽倫科技上海辦事處 吳惟雨/Caven Wu Cell:13817915874 QQ:185795008 [email protected] 上海市黃浦區陸家浜路1378號萬事利大廈1102室 200011

Film Sense FS-1?多波長橢偏儀

Film Sense FS-1?多波長橢偏儀

  • 品牌: 美國Film Sense
  • 型號: FS-1?
  • 產地:美國
  • 供應商:優尼康科技有限公司

    Film Sense FS-1?多波長橢偏儀采用壽命長 LED 光源和非移動 式部件橢偏探測器,可在操作簡單的緊湊型橢偏儀中實現快速和可 靠地薄膜測量。大多數厚度 0–1000 nm 的透明薄膜只需要簡單的 1 秒測量,就 可以獲得非常精密和準確的數據。

橢圓偏振測厚儀

橢圓偏振測厚儀

  • 品牌: 天津拓普
  • 型號: TPY-1 型
  • 產地:
  • 供應商:天津市拓普儀器有限公司

    儀器簡介:在近代科學技術的許多領域中對各種薄膜的研究和應用日益廣泛。因此,更加精確和迅速的測定給定薄膜的光學參數已變得更加迫切和重要。在實際工作中可以利用各種傳統的方法測定光學參數,如:布儒斯特角法測介質膜的折射率,干涉法測膜厚,其它測膜厚的方法還有稱重法、X射線法、電容法、橢偏法等。由于橢圓偏振法具有靈敏度高、精度高、非破壞性測量等優點,因而,橢圓偏振法測量已在光學、半導體、生物、醫學等諸多領域得到廣泛應用。技術參數:規格與主要技術指標: 測量范圍:薄膜厚度范圍:1nm-300nm; 折射率范圍:1-10 測量最小示值:≤1nm 入射光波長:632.8nm 光學中心高:80mm 允許樣品尺寸:φ10-φ140mm,厚度≤16mm 偏振器方位角范圍:0°- 180°讀取分辨率為0.05° 測量膜厚和折射率重復性精度分別為:±1nm和±0.01 主機重量:25kg 入射角連續調節范圍:20°- 90°精度為0.05°主要特點:儀器采用消光法自動測量薄膜厚度和折射率,具有精度高、靈敏度高以及方便測量等特點; 光源采用氦氖激光器,功率穩定、波長精度高; 儀器配有生成表、查表以及精確計算等軟件,方便用戶使用。

自動橢圓偏振測厚儀

自動橢圓偏振測厚儀

  • 品牌: 天津拓普
  • 型號: TPY-2型
  • 產地:
  • 供應商:天津市拓普儀器有限公司

    儀器簡介:產品特點: 儀器采用消光法自動測量薄膜厚度和折射率,具有精度高、靈敏度高以及自動控制等特點。光源采用氦氖激光器,功率穩定波長精度高。 儀器采用USB接口與電腦連接,配套軟件功能齊全,具有多樣數據采集及處理方式,適用于不同用戶的需要。技術參數:規格與主要技術指標: 測量范圍:1nm-4000nm 折射率范圍:1-10 測量最小值:≤1nm 入射角:20°- 90°精度≤0.05° 度盤刻度:每格1度 允許樣品尺寸:φ10-φ140mm,厚度≤16mm 偏振器方位角范圍:0°- 180° 外形尺寸:680*390*310mm 測量膜厚和折射率重復性精度分別為:0.5nm和0.005 主機重量:26kg 儀器測量精度:±0.5nm(薄膜厚度在10-100nm時) 光學中心高度:80mm 成套性:主機、電控系統、USB接口、配套軟件 成套性:主機、電控系統、USB接口、配套軟件(需配計算機)主要特點:產品特點: 儀器采用消光法自動測量薄膜厚度和折射率,具有精度高、靈敏度高以及自動控制等特點。光源采用氦氖激光器,功率穩定波長精度高。 儀器采用USB接口與電腦連接,配套軟件功能齊全,具有多樣數據采集及處理方式,適用于不同用戶的需要。

EM12-PV 精致型多入射角激光橢偏儀(光伏專用)

EM12-PV 精致型多入射角激光橢偏儀(光伏專用)

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: EM12-PV
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    EM12是采用先進的測量技術,針對中端精度需求的光伏太陽能電池研發和質量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。 EM12-PV用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系數k。 EM12-PV融合多項量拓科技專利技術,采用一體化樣品臺技術,兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品。一鍵式多線程操作軟件,使得儀器操作簡單安全。 特點: 粗糙絨面納米薄膜的測量 先進的光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實現了對粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽電池表面納米鍍層的檢測。 次納米量級的高靈敏度和準確度 國際先進的采樣方法、穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了高準確度和穩定性,測量絨面減反膜的厚度精度優于0.2nm。 1.6秒的快速測量 國際水準的儀器設計,在保證極高精度和準確度的同時,可在1.6秒內快速完成一次測量,可滿足快速多點檢測和批量檢測需求。 簡單方便安全的儀器操作 一鍵式操作設計,用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。 應用: EM12-PV適合于光伏領域中端精度要求的工藝研發和生產現場的質量控制。 EM12-PV可用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面上單層減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n,典型納米膜層包括SiNx,ITO,TiO2,SiO2,A12O3,HfO2等,應用領域包括晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池等。 EM12-PV也可用于測量光滑平面基底上的單層或雙層納米薄膜,包括膜層的厚度,以及在632.8nm下的折射率n和消光系數k。也可用于測量塊狀材料(包括,液體、金屬、半導體、介質等)在632.8nm下的折射率n和消光系數k。應用領域包括半導體、微電子、平板顯示等。 技術指標: 項目 技術指標 儀器型號 EM12-PV 激光波長 632.8nm (He-Ne Laser) 膜厚測量重復性(1) 0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 0.2nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) 折射率精度(1) 2x10-3(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 2x10-3(對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) 單次測量時間 與測量設置相關,典型1.6s 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 激光光束直徑 1-2mm 入射角度 40°-90°可手動調節,步進5° 樣品方位調整 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品 可測量156*156mm電池樣品上每個點 Z軸高度調節:±6.5mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準:光學自準直顯微和望遠對準系統 樣品臺尺寸 平面樣品直徑可達Φ170mm 兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 最大的膜層厚度范圍 粗糙表面樣品:與絨面物理結構及材料性質相關 光滑平面樣品:透明薄膜可達4um,吸收薄膜與材料性質相關 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角為90時) 儀器重量(凈重) 25Kg 選配件 水平XY軸調節平移臺 真空吸附泵 軟件 ETEM軟件: 中英文界面可選 太陽能電池樣品預設項目供快捷操作使用 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合 方便的數據顯示、編輯和輸出 豐富的模型和材料數據庫支持 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。 性能保證: 穩定的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術,保證了穩定性和準確度 一體化樣品臺技術,兼容單晶和多晶硅太陽電池樣品,輕松變換可實現準確測量 高精度的光學自準直顯微和望遠系統,保證了快速、高精度的樣品方位對準 新型樣品調節技術,有效提高樣品定位精度,并節省操作時間 新型光電增強技術和獨特的噪聲處理方法,顯著降低生產現場噪聲的影響 一體化集成式儀器整體設計,保證了系統穩定性,并節省空間 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和絕對厚度的測量 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用

ES03 快速攝譜式 多入射角光譜橢偏儀

ES03 快速攝譜式 多入射角光譜橢偏儀

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: ES03
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    ES03是針對科研和工業環境中薄膜測量推出的高精度多入射角光譜橢偏儀,儀器波長范圍從紫外到近紅外。 ES03多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,厚度)和物理參數(如,折射率n、消光系數k),也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。 ES03系列適合于對樣品進行實時和非實時的檢測。 特點: 原子層量級的檢測靈敏度 國際先進的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。 秒級的快速測量 快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,在保證高精度和準確度的同時,10秒內快速完成一次全光譜橢偏測量。 膜厚測量范圍大 膜厚范圍從次納米量級到10微米左右。 一鍵式儀器操作 對于常規操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。 應用: ES03適合于科研和工業產品環境中的新品研發或質量控制。 ES03系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如: ES03V適合于測量電介質材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。 ES03U適合于很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體的臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。 ES03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。 典型應用如: 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等; 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等; 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等 ES03也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括: 玻璃新品研發和質量控制等。 技術指標: 項目 技術指標 光譜范圍 ES03V:370-1000nm ES03U:245-1000nm 光譜分辨率 1.5nm 單次測量時間 典型10s,取決于測量模式 準確度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) 膜厚測量重復性(1) 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 折射率測量重復性(1) 1x10-3(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 入射角度 40°-90°手動調節,步距5°,重復性0.02° 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 樣品臺尺寸 可放置樣品尺寸:直徑170 mm 樣品方位調整 高度調節范圍:0-10mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準 光學自準直顯微和望遠對準系統 軟件 多語言界面切換 預設項目供快捷操作使用 安全的權限管理模式(管理員、操作員) 方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 豐富的模型數據庫 選配件 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。

ESS01 波長掃描式 自動變角度光譜橢偏儀

ESS01 波長掃描式 自動變角度光譜橢偏儀

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: ESS01
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    ESS01是針對科研和工業環境中薄膜測量推出的波長掃描式、高精度自動變入射角度光譜橢偏儀,此系列儀器波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外到遠紅外。 ESS01采用寬光譜光源結合單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。 ESS01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,厚層厚度、表面為粗糙度等)和光學參數(如,折射率n、消光系數k、復介電常數ε等),也可用于測量塊狀材料的光學參數。 ESS01適合多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。 技術特點: 極寬的光譜范圍 采用寬光譜光源、寬光譜掃描的系統光學設計,保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度,非常適合于對光譜范圍要求極其嚴格的場合。 靈活的測量設置 儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定(包括:波長范圍、掃描步距、入射角度等),極大地提高了測量的靈活性,可以勝任要求苛刻的樣品。 原子層量級的檢測靈敏度 國際先進的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。 非常經濟的技術方案 采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量,儀器整體成本得到有效降低。 應用領域: ESS01系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。 ESS01適合很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體地臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。 ESS01可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。 薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等,典型應用包括: 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等); 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等; 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等; 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。 節能環保領域:LOW-E玻璃等。 ESS01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括: 玻璃新品研發和質量控制等。 技術指標: 項目 技術指標 光譜范圍 ESS01VI:370-1700nm ESS01UI:245-1700nm 光譜分辨率(nm) 可設置 入射角度 40°-90°自動調節 準確度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) 膜厚測量重復性(1) 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 折射率n測量重復性(1) 0.001(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 單次測量時間 典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測量模式) 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 可測量樣品最大尺寸 直徑Φ200 mm 樣品方位調整 高度調節范圍:10mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準 光學自準直顯微和望遠對準系統 軟件 多語言界面切換 預設項目供快捷操作使用 安全的權限管理模式(管理員、操作員) 方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 豐富的模型數據庫 選配件 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。

EMPro-PV 極致型多入射角激光橢偏儀(光伏專用)

EMPro-PV 極致型多入射角激光橢偏儀(光伏專用)

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: EMPro-PV
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    EMPro-PV是針對光伏太陽能電池高端研發和質量控制領域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。 EMPro-PV用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度,以及在632.8nm下折射率n和消光系數k。 EMPro-PV融合多項量拓科技專利技術,采用一體化樣品臺技術,兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品,并實現二者的輕松轉換。一鍵式多線程操作軟件,使得儀器操作簡單安全。 特點: 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量 先進的光能量增強技術、低噪聲的探測器件以及高信噪比的微弱信號處理方法,實現了對粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。 原子層量級的極高靈敏度和準確度 國際先進的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了極高的準確度和穩定性,測量絨面減反膜膜厚精度優于0.03nm,折射率精度優于0.0003。 百毫秒量級的快速測量 國際水準的儀器設計,在保證極高精度和準確度的同時,可在幾百毫秒內快速完成一次測量,可滿足快速多點檢測和批量檢測需求。 簡單方便安全的儀器操作 一鍵式操作設計,用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。 應用: EMPro-PV適合于光伏領域中高精度要求的工藝研發和生產現場的質量控制。可用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面上單層減反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。典型納米膜層包括SiNx,ITO,TiO2,SiO2,A12O3,HfO2等。應用領域包括晶體硅太陽電池、薄膜太陽電池等。 EMPro-PV也可用于測量光滑平面基底上鍍的納米單層膜或雙層膜,包括膜層的厚度,以及在632.8nm下的折射率n和消光系數k。也可用于測量塊狀材料(包括,液體、金屬、半導體、介質等)在632.8nm下的折射率n和消光系數k。應用領域包括半導體、微電子、平板顯示等。 技術指標: 項目 技術指標 儀器型號 EMPro-PV 版本號 31 激光波長 632.8nm (He-Ne Laser) 膜厚測量重復性(1) 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 0.03nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) 折射率精度(1) 1x10-4(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 3x10-4(對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) 單次測量時間 與測量設置相關,典型0.6s 結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 激光光束直徑 1mm 入射角度 40°-90°可手動調節,步進5° 樣品方位調整 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品; 可測量156*156mm電池樣品上每個點 Z軸高度調節:±6.5mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準:光學自準直顯微和望遠對準系統 樣品臺尺寸 平面樣品直徑可達Φ170mm 兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 最大的膜層測量范圍 粗糙表面樣品:與絨面物理結構及材料性質相關 光滑平面樣品:透明薄膜可達4000nm,吸收薄膜與材料性質相關 最大外形尺寸(長x寬x高) 887 x 332 x 552mm (入射角為90時) 儀器重量(凈重) 25Kg 選配件 水平XY軸調節平移臺 真空吸附泵 軟件 ETEM軟件: l中英文界面可選 l太陽能電池樣品預設項目供快捷操作使用 l單角度測量/多角度測量操作和數據擬合 l方便的數據顯示、編輯和輸出 l豐富的模型和材料數據庫支持 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。 性能保證: 高穩定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術,保證了高穩定性和高準確度 一體化樣品臺技術,兼容單晶和多晶硅太陽電池樣品,輕松變換可實現準確測量 高精度的光學自準直顯微和望遠系統,保證了快速、高精度的樣品方位對準 新型樣品調節技術,有效提高樣品定位精度,并節省操作時間 新型光電增強技術和獨特的噪聲處理方法,顯著降低生產現場噪聲的影響 一體化集成式儀器整體設計,保證了系統穩定性,并節省空間 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和絕對厚度的測量 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用

ES01-PV 快速攝譜式 自動變角度光譜橢偏儀(光伏專用)

ES01-PV 快速攝譜式 自動變角度光譜橢偏儀(光伏專用)

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: ES01-PV
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    ES01-PV是針對光伏太陽能電池研發和質量控制領域推出的高性能光譜橢偏儀。 ES01-PV用于測量和分析光伏領域中多層納米薄膜的層構參數(如,厚度)和物理參數(如,折射率n、消光系數k),典型樣品包括:絨面單晶和多晶太陽電池上的單層減反膜(如SiNx,SiO2,TiO2,Al2O3等)和多層減反膜(如,SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等),以及薄膜太陽電池中的多層納米薄膜。 特點: 粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量 先進的光能量增強技術、高信噪比的探測技術以及高信噪比的微弱信號處理方法,實現了對粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。 晶體硅多層減反膜檢測 專門針對多層薄膜檢測而設計,可滿足晶體硅太陽能電池領域中的雙層膜,如(SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等)的檢測。 秒級的快速測量 國際先進的快速橢偏采樣方法、一流的關鍵部件、自動化的測量軟件,在保證高精度和準確度的同時,可在10秒內快速完成一次測量。 一鍵式儀器操作 對于常規操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。 應用: ES01-PV可用于測量絨面單晶或多晶硅太陽電池表面上納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k,包括:單層減反膜(如, SiNx, TiO2,SiO2,A12O3等)、雙層納米薄膜(如,SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx /Al2O3等),以及多層納米薄膜。 ES01-PV的應用也覆蓋了傳統光譜橢偏儀所測量的光面基底上的單層和多層納米薄膜,典型應用包括:半導體(如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等)、平板顯示(TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等)、功能性涂料:(增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等)、生物和化學工程(有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等)等。 技術指標: 項目 技術指標 光譜范圍 240nm-930nm(絨面測量時為350-850nm) 單次測量時間 10s,取決于測量模式 膜厚測量重復性(1) 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 折射率精度(1) 1x10-3(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 入射角度 40°-90°自動調節 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 樣品臺尺寸 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品 兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 樣品方位調整 Z軸高度調節:±6.5mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準:光學自準直顯微和望遠對準系統 軟件 多語言界面切換 太陽能電池樣品預設項目供快捷操作使用 安全的權限管理模式(管理員、操作員) 方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 豐富的模型數據庫 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。

EM13 LD系列多入射角激光橢偏儀

EM13 LD系列多入射角激光橢偏儀

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: EM13
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    EM13LD 系列是采用先進的測量技術,針對普通精度需求的研發和質量控制領域推出的多入射角激光橢偏儀。 EM13LD系列采用半導體激光器作為光源,可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;亦可用于實時測量納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的絕對厚度測量。 EM13LD系列采用了量拓科技多項專利技術。 特點: 次納米的高靈敏度 國際先進的采樣方法、穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量極薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.5nm。 3秒的快速測量 國際水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在3秒內快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。 簡單方便的儀器操作 用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。 應用: EM13LD系列適合于普通精度要求的科研和工業環境中的新品研發或質量控制。 EM13LD系列可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。 EM13LD可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。 技術指標: 項目 技術指標 儀器型號 EM13 LD/635 (或其它選定波長) 激光波長 635 nm (或其它選定波長,高穩定半導體激光器) 膜厚測量重復性(1) 0.5nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 折射率測量重復性(1) 5x10-3(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 單次測量時間 與測量設置相關,典型3s 最大的膜層范圍 透明薄膜可達1000nm 吸收薄膜則與材料性質相關 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 激光光束直徑 2mm 入射角度 40°-90°可手動調節,步進5° 樣品方位調整 Z軸高度調節:±6.5mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統 樣品臺尺寸 平面樣品直徑可達Φ170mm 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角為90時) 儀器重量(凈重) 25Kg 選配件 水平XY軸調節平移臺,真空吸附泵 軟件(ETEM) * 中英文界面可選 * 多個預設項目供快捷操作使用 * 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合 * 方便的數據顯示、編輯和輸出 * 豐富的模型和材料數據庫支持 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。 性能保證: 穩定性的半導體激光光源、先進的采樣方法,保證了穩定性和準確度 高精度的光學自準直系統,保證了快速、高精度的樣品方位對準 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合先進的采樣技術,保證了快速、穩定測量 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和絕對厚度的測量 一體化集成式的儀器結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高,并節省空間 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用 可選配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 樣品池

EM12 精致型多入射角激光橢偏儀

EM12 精致型多入射角激光橢偏儀

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: EM12
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    EM12是采用先進的測量技術,針對中端精度需求的研發和質量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。 EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;亦可用于實時測量納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的絕對厚度測量。 EM12采用了量拓科技多項專利技術。 特點: 次納米量級的高靈敏度 國際先進的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的制造工藝實現并保證了能夠測量極薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.2nm。 1.6秒的快速測量 國際水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在1.6秒內快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。 簡單方便的儀器操作 用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。 應用: EM12適合于中端精度要求的科研和工業環境中的新品研發或質量控制。 EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。 EM12可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。 技術指標: 項目 技術指標 儀器型號 EM12 激光波長 632.8nm (He-Ne Laser) 膜厚測量重復性(1) 0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 折射率測量重復性(1) 2x10-3(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 單次測量時間 與測量設置相關,典型1.6s 最大的膜層范圍 透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質相關 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 激光光束直徑 1-2mm 入射角度 40°-90°可手動調節,步進5° 樣品方位調整 Z軸高度調節:±6.5mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統 樣品臺尺寸 平面樣品直徑可達Φ170mm 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角為90時) 儀器重量(凈重) 25Kg 選配件 水平XY軸調節平移臺 真空吸附泵 軟件 ETEM軟件: 中英文界面可選; 多個預設項目供快捷操作使用; 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合; 方便的數據顯示、編輯和輸出 豐富的模型和材料數據庫支持 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。 性能保證: 穩定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法,保證了高穩定性和高準確度 高精度的光學自準直系統,保證了快速、高精度的樣品方位對準 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合先進的采樣技術,保證了快速、穩定測量 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和絕對厚度的測量 一體化集成式的儀器結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高,并節省空間 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用 可選配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 樣品池

ESS03 波長掃描時式 多入射角光譜橢偏儀

ESS03 波長掃描時式 多入射角光譜橢偏儀

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: ESS03
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    ES0S3是針對科研和工業環境中薄膜測量領域推出的波長掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀,此系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外、到遠紅外。 ESS03采用寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。 ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,膜層厚度、表面微粗糙度等)和光學參數(如,折射率n、消光系數k、復介電常數ε等),也可用于測量塊狀材料的光學參數。 ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。 技術特點: 極寬的光譜范圍 采用寬光譜光源、寬光譜掃描德系統光學設計,保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度,非常適合于對光譜范圍要求極其嚴格的場合。 靈活的測量設置 儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定(包括:波長范圍、掃描步距、入射角度等),極大地提高了測量的靈活性,可以勝任要求苛刻的樣品。 原子層量級的檢測靈敏度 國際先進的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。 非常經濟的技術方案 采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量,儀器整體成本得到有效降低。 應用領域: ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。 ESS03適合很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體地臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。 ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。 薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等,典型應用如: 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等); 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等; 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等; 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。 節能環保領域:LOW-E玻璃等。 ESS03系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括: 玻璃新品研發和質量控制等。 技術指標: 項目 技術指標 光譜范圍 ESS03VI:370-1700nm ESS03UI:245-1700nm 光譜分辨率(nm) 可設置 入射角度 40°-90°手動調節,步距5,重復性0.02 準確度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) 膜厚測量重復性(1) 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 折射率n測量重復性(1) 0.001(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 單次測量時間 典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測量模式) 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 可測量樣品最大尺寸 直徑200 mm 樣品方位調整 高度調節范圍:10mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準 光學自準直顯微和望遠對準系統 軟件 多語言界面切換 預設項目供快捷操作使用 安全的權限管理模式(管理員、操作員) 方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 豐富的模型數據庫 選配件 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。 可選配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 樣品池

ES01 快速攝譜式 自動變角度光譜橢偏儀

ES01 快速攝譜式 自動變角度光譜橢偏儀

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: ES01
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    ES01是針對科研和工業環境中薄膜測量推出的高精度全自動光譜橢偏儀,系列儀器的波長范圍覆蓋紫外、可見到紅外。 ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,厚度)和物理參數(如,折射率n、消光系數k),也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。 ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進行實時和非實時檢測。 特點: 原子層量級的檢測靈敏度 國際先進的采樣方法、高穩定的核心器件、高質量的設計和制造工藝實現并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm。 秒級的快速測量 快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,在保證高精度和準確度的同時,10秒內快速完成一次全光譜橢偏測量。 一鍵式儀器操作 對于常規操作,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量、建模、擬合和分析過程,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求。 應用: ES01系列尤其適合于科研和工業產品環境中的新品研發。 ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合。比如: ES01V適合于測量電介質材料、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測。 ES01U適合于很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體的臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。 ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應用如: 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等); 平板顯示:TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等; 功能性涂料:增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學涂層,以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等; 生物和化學工程:有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。 ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。典型應用包括: 玻璃新品研發和質量控制等。 技術指標: 項目 技術指標 光譜范圍 ES01V:370-1000nm ES01U:245-1000nm 光譜分辨率 1.5nm 單次測量時間 典型10s,取決于測量模式 準確度 δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) 膜厚測量重復性(1) 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 折射率精度(1) 1x10-3(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) 入射角度 40°-90°自動調節,重復性0.02° 光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 樣品臺尺寸 可放置樣品尺寸:直徑170 mm 樣品方位調整 高度調節范圍:0-10mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準 光學自準直顯微和望遠對準系統 軟件 多語言界面切換 預設項目供快捷操作使用 安全的權限管理模式(管理員、操作員) 方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 豐富的模型數據庫 選配件 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量30次所計算的標準差。 可選配件: NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片 NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片 VP01真空吸附泵 VP02真空吸附泵 樣品池

EMPro 多入射角激光橢偏儀

EMPro 多入射角激光橢偏儀

  • 品牌: 北京賽凡
  • 型號: EMPro
  • 產地:
  • 供應商:北京賽凡光電儀器有限公司

    EMPro是針對高端研發和質量控制領域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。 EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現了納米薄膜的絕對厚度測量。 EMPro采用了量拓科技多項專利技術。 特點: 原子層量級的極高靈敏度 百毫秒量級的快速測量 簡單方便的儀器操作 應用: EMPro適合于高精度要求的科研和工業產品環境中的新品研發或質量控制。EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。EMPro可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。 技術指標: 項目 技術指標 儀器型號 EMPro31 激光波長 632.8nm (He-Ne Laser) (1)膜層厚度精度 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) (1)折射率精度 1x10-4(對于Si基底上100nm的SiO2膜層) 單次測量時間 與測量設置相關,典型0.6s 結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) 激光光束直徑 1mm 入射角度 40°-90°可手動調節,步進5° 樣品方位調整 Z軸高度調節:±6.5mm 二維俯仰調節:±4° 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統 樣品臺尺寸 平面樣品直徑可達Φ170mm 最大的膜層范圍 透明薄膜可達4000nm 吸收薄膜則與材料性質相關 最大外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角為90時) 儀器重量(凈重) 25Kg 選配件 水平XY軸調節平移臺 真空吸附泵 軟件 ETEM軟件: 中英文界面可選; l多個預設項目供快捷操作使用; l單角度測量/多角度測量操作和數據擬合; 方便的數據顯示、編輯和輸出 豐富的模型和材料數據庫支持 注:(1)精度:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續測量25次所計算的標準差。 性能保證: 高穩定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法以及低噪聲探測技術,保證了高穩定性和高準確度 高精度的光學自準直系統,保證了快速、高精度的樣品方位對準 穩定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合先進的采樣技術,保證了快速、穩定測量 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和絕對厚度的測量 一體化集成式的儀器結構設計,使得系統操作簡單、整體穩定性提高,并節省空間 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用

薄膜厚度測量系統

薄膜厚度測量系統

  • 品牌: 上海孚光精儀
  • 型號: FR-Prob
  • 產地:德國
  • 供應商:孚光精儀(香港)有限公司

    這款薄膜厚度測量系統平臺是一種模塊化設計的薄膜厚度測量儀,可靈活擴展成精密的薄膜測量儀器,可在此基礎上衍生出多種基于白光反射光譜技術的薄膜厚度測試儀,比如標準吸收/透過率,反射率的測量,薄膜的測量,薄膜溫度和厚度的測量。這個薄膜厚度測量系統由如下5個模塊組成:核心模塊----光譜儀;外殼模塊----各種精密精美的儀器外殼;工作面積模塊----測量工作區域;光纖模塊----根據不同測量任務配備各種光纖附件;測量室-/環境罩---給測量帶去超凈工作區域。薄膜厚度測量儀核心模塊---光譜儀我們提供多種光譜儀類型,不同光譜范圍和光源,薄膜厚度測量儀滿足各種測量應用

研究級經典型橢偏儀 UVISEL

研究級經典型橢偏儀 UVISEL

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: UVISEL
  • 產地:法國
  • 供應商:上海巨納科技有限公司

    UVISEL2是一款完全革新的全自動光譜型橢偏儀。繼承并發展了經典機型UVISEL的高準確性、高靈敏度和高穩定性等技術特點的同時,配備革新的可視系統,多達8個尺寸微光斑選項,最小達35×85μm2,適用于所有薄膜材料研究領域。是目前市場上獨一無二的機型。產品特點:完全自動化設計,自動對焦、校正全新光路、電路設計,測量精度更高,速度更快50KHz高頻PEM相調制技術,測量光路中無運動部件雙光柵光譜儀系統,雜散光抑制水平高8個尺寸微光斑,專利可視技術自動平臺樣品掃描成像技術參數:光譜范圍:190-2100 nm8種光斑尺寸: 最小35 X 85 um探測器:3個獨立探測器,分別優化紫外,可見和近紅外自動樣品臺尺寸:200mm X 200mm;XYZ方向自動調節; Z軸高度>35mm樣品水平度自動調整自動量角器:變角范圍35°- 90°,全自動調整,最小步長0.01°SWNT單壁碳管厚度為3.1?的Graphene/c-Si與單晶硅基底自然氧化層測試圖譜對比

一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: Auto SE
  • 產地:法國
  • 供應商:上海巨納科技有限公司

    新型的全自動薄膜測量分析工具,工業化設計,操作簡單,可在幾秒鐘內完成全自動測量和分析,并輸出分析報告。是用于快速薄膜測量和器件質量控制理想的解決方案。產品特點:完全自動化設計,一鍵式操作,直接報告輸出液晶調制技術,測量光路中無運動部件CCD探測系統,快速全譜輸出多個微光斑尺寸選擇,專利可視技術封閉式樣品倉技術參數:光譜范圍:450-1000 nm多種微光斑自動選擇專利光斑可視技術,可觀測任何樣品表面CCD探測器自動樣品臺尺寸:200mmX200mmXYZ方向自動調節; Z軸高度>35mm70度角入射

HORIBA JY研究級全自動橢偏儀UVISEL 2

HORIBA JY研究級全自動橢偏儀UVISEL 2

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: UVISEL 2
  • 產地:法國
  • 供應商:北京國嘉恒業科學儀器有限公司

    UVISEL2是一款完全革新的全自動光譜型橢偏儀。繼承并發展了經典機型UVISEL的高準確性、高靈敏度和高穩定性等技術特點的同時,配備革新的可視系統,多達8個尺寸微光斑選項,最小達35×85μm2,適用于所有薄膜材料研究領域。是目前市場上獨一無二的機型。技術參數:光譜范圍:190-2100 nm8種光斑尺寸: 最小35 X 85 um探測器:3個獨立探測器,分別優化紫外,可見和近紅外自動樣品臺尺寸:200mm X 200mm;XYZ方向自動調節; Z軸高度>35mm樣品水平度自動調整自動量角器:變角范圍35°- 90°,全自動調整,最小步長0.01°主要特點:完全自動化設計,自動對焦、校正全新光路、電路設計,測量精度更高,速度更快50KHz高頻PEM相調制技術,測量光路中無運動部件雙光柵光譜儀系統,雜散光抑制水平高8個尺寸微光斑,專利可視技術自動平臺樣品掃描成像

HORIBA JY在線橢偏儀 In-situ series

HORIBA JY在線橢偏儀 In-situ series

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: In-situ series
  • 產地:法國
  • 供應商:北京國嘉恒業科學儀器有限公司

    儀器介紹:在鍍膜或刻蝕的過程中,實時監測樣品膜的膜厚以及光學常數(n,k)變化。技術參數:可實現快速、實時在線監測樣品膜層變化主要特點:將激發和探測頭引入生產設備,可實現: 動態模式:實時監測膜厚變化 光譜模式:監測薄膜的界面和組分

HORIBA JY一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

HORIBA JY一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: Auto SE
  • 產地:法國
  • 供應商:北京國嘉恒業科學儀器有限公司

    新型的全自動薄膜測量分析工具,工業化設計,操作簡單,可在幾秒鐘內完成全自動測量和分析,并輸出分析報告。是用于快速薄膜測量和器件質量控制理想的解決方案。技術參數:光譜范圍:450-1000 nm多種微光斑自動選擇專利光斑可視技術,可觀測任何樣品表面CCD探測器自動樣品臺尺寸:200mmX200mm;XYZ方向自動調節; Z軸高度>35mm70度角入射主要特點:完全自動化設計,一鍵式操作,直接報告輸出液晶調制技術,測量光路中無運動部件CCD探測系統,快速全譜輸出多個微光斑尺寸選擇,專利可視技術封閉式樣品倉

一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

一鍵式全自動快速橢偏儀 Auto SE

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: Auto SE
  • 產地:法國
  • 供應商:天津東方科捷科技有限公司

    創新點◎獨一無二的光斑可視系統(專利技術):AutoSE集成了獨一無二的MyAutoView光斑可視系統(專利技術),該系統配備在標準橢圓偏振光譜儀中,允許操作者全程觀測樣品光斑,以確保各種類型的樣品都能在完全正確的位置,以合適的光斑尺寸進行測量。解決了現有測量技術中的“盲測”難題。◎一鍵式操作,大大提高工作效率。◎共焦微光斑技術:提供8種不同光斑尺寸的自動選擇。◎全自動智能診斷及故障處理:大大減輕了設備的維護負擔。 儀器簡介:新型的全自動薄膜測量分析工具,工業化設計,操作簡單,可在幾秒鐘內完成全自動測量和分析,并輸出分析報告。是用于快速薄膜測量和器件質量控制理想的解決方案。技術參數:光譜范圍:450-1000nm多種微光斑自動選擇專利光斑可視技術,可觀測任何樣品表面CCD探測器自動樣品臺尺寸:200mmX200mm;XYZ方向自動調節;Z軸高度>35mm70度角入射主要特點:完全自動化設計,一鍵式操作,直接報告輸出液晶調制技術,測量光路中無運動部件CCD探測系統,快速全譜輸出多個微光斑尺寸選擇,專利可視技術封閉式樣品倉

研究級經典型橢偏儀-UVISEL

研究級經典型橢偏儀-UVISEL

  • 品牌: 法國HORIBA JY
  • 型號: UVISEL
  • 產地:法國
  • 供應商:天津東方科捷科技有限公司

    儀器簡介: 20多年技術積累和發展的結晶,是一款高準確性、高靈敏度、高穩定性的經典橢偏機型。即使在透明的基底上也能對超薄膜進行最精確的測量。采用PEM相位調制技術,與機械旋轉部件技術相比,能提供更好的穩定性和信噪比。技術參數:可選光譜范圍: * UVISEL Extended Range(190nm -2100 nm) * UVISEL NIR (250 nm -2100 nm ) * UVISEL VIS (210 nm -880 nm ) * UVISEL FUV(190 nm -880 nm ) * UVISEL VUV(142 nm -880 nm ) *多種實用微光斑尺寸選項 *探測器:分別針對紫外,可見和近紅外提供優化的PMT和IGA探測器 *自動樣品臺尺寸:多種樣品臺可選 *自動量角器:變角范圍35° - 90°,全自動調整,最小步長0.01°主要特點: *50KHz 高頻PEM 相調制技術,測量光路中無運動部件 *具備超薄膜所需的測量精度,超厚膜所需的高光譜分辨率 *具有毫秒級超快動態采集模式,可用于在線實時監測 *自動平臺樣品掃描成像、變溫臺、電化學反應池、液體池、密封池等多種附件 *配置靈活

超聲波在線壁厚、偏心測量儀

超聲波在線壁厚、偏心測量儀

  • 品牌: 英國NDC
  • 型號: Ultrascan 1012
  • 產地:美國
  • 供應商:NDC Technologies Inc.

    UltraScan壁厚和同心度測量系統Beta LaserMike開發的UltraScan系統可以實現產品壁厚和同心度的在線精確測量,同時該系統也可以用于測量產品的直徑和橢圓度。采用超聲波技術,UltraScan系統能夠在生產過程中實現高速、非接觸式的測量。根據不同的應用場合,UltraScan測量系統采用固定式和可調節的傳感器距離模式測量各種不同產品的直徑和壁厚尺寸。上述各種模式都支持多個傳感器測量,并且能夠測量多層的直徑和壁厚尺寸。應用領域:電線、電纜、醫療管、及其他管材、線繩等檢測項目:壁厚、偏心、內徑、外徑以下技術信息說明了各種類型UltraScan系統的相關性能數據。為滿足您特殊的應用需求,如需特定產品的詳細信息,請參考我們提供的數據表。 軟管應用外徑范圍: 0.25 - 63毫米(即0.01 - 2.5英寸)測量精度: 壁厚:±0.001毫米(即±0.000040英寸),同心度:±0.01%。掃描速率: 2000次/秒傳感器數量: 最多支持8個管材應用外徑范圍: 7.5 - 660毫米(即0.0.30 - 26.0)測量精度:壁厚:±0.001毫米(即±0.000040英寸),同心度:±0.01%。掃描速率: 2000次/秒傳感器數量: 最多支持8個

橢偏儀

橢偏儀

  • 品牌:
  • 型號: SpecEl-2000-VIS
  • 產地:美國
  • 供應商:杭州譜鐳光電技術有限公司

    SpecEl-2000-VIS橢偏儀通過測量基底反射的偏振光,進而測量薄膜厚度及材料不同波長處的折射率。波長范圍200-900nm。SpecEl通過PC控制來實現折射率,吸光率及膜厚的測量。 集成的精確測量系統SpecEl由一個集成的光源,一個光譜儀及兩個成70°的偏光器構成,并配有一個32位操作系統的PC.該橢偏儀可測量0.1nm-5um厚的單膜,分辨率0.1nm,測量時間5-15秒,并且折射率測量可達0.005%。 配置說明 波長范圍: 380-780 nm (標準) 或450-900 nm (可選) 光學分辨率: 4.0 nm FWHM 測量精度: 厚度0.1 nm ; 折射率 0.005% 入射角: 70° 膜厚: 單透明膜1-5000 nm 光點尺寸: 2 mm x 4 mm (標準) 或 200 m x 400 m (可選) 采樣時間: 3-15s (最小) 動態記錄: 3 seconds 機械公差 (height): +/- 1.5 mm, 角度 +/- 1.0° 膜層數: 至多32層 參考: 不用

橢偏儀/橢圓偏振儀招標信息

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