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晶圓測試及芯片測試

儀準科技(北京)有限公司    2019-08-21    芯片檢測儀    瀏覽 55 次

一、需求目的:1、熱達標;2、故障少 1KJ[&jS ]
二、細化需求,怎么評估樣品:1、設計方面;2、測試方面 ): r'IR
三、具體到芯片設計有哪些需要關注: MW=rX>tE
1、頂層設計 k\ZU%"^J
2、仿真 Ppx4#j
3、熱設計及功耗 B<~BX [
4、資源利用、速率與工藝 -&QpQ7q1
5、覆蓋率要求 ytV4qU82G
6、 t~Ic{%bdA
四、具體到測試有哪些需要關注: SW mail protected]
1、可測試性設計 W=,]#Z+M;
2、常規測試:晶圓級、芯片級 8Z [email protected]vi
3、可靠性測試 c{jTCkzq
4、故障與測試關系 K=dG-+B~}
5、 [email protected]~a#~1O
+V#dJ[,8;.
測試有效性保證; |Lc.XxBkc
設計保證?測試保證?篩選?可靠性?  x![ut  
設計指標?來源工藝水平,模塊水平,覆蓋率 cn'r BY
<h`}I3Ao
晶圓測試:接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、全面的功能測試、全面的動態參數測試、   模擬信號參數測試。 Nh6!h%
晶圓的工藝參數監測dice, V j[,o Vt$
:/;;|lGw
Ul|htB<1:
芯片測試:ATE測試項目來源,邊界掃描 `L.nj6F
=8 DS~J{
  a!;K+wL>
故障種類: :n oZ p:a
缺陷種類: 0|(6q=QK
針對性測試: fc%C!^7
~Ecx>f4nX
性能功能測試的依據,可測試性設計:掃描路徑法scan path、內建自測法BIST-built in self-test YKa9]Q
|PLWF[+t8
t;lK=m|
芯片資源、速率、功耗與特征尺寸的關系; szy2"~hm
仿真與誤差, {z8wFL\
n 預研階段 Vc "+|^
n 頂層設計階段 !Ee&e~"
n 模塊設計階段 e`% <D[-
n 模塊實現階段 Bv}nG|
n 子系統仿真階段 oh >0}Gc8
n 系統仿真,綜合和版面設計前門級仿真階段 r6}-EYq=
n 后端版面設計 LLwC*)#
n 測試矢量準備 <*djtO
n 后端仿真 mB*;> 
n 生產 eo4v[V&
n 硅片測試 N1'$;9 c
頂層設計: @Y+9")?
n 書寫功能需求說明 _MUSXB'
n 頂層結構必備項 <7J\8JR&=
n 分析必選項-需要考慮技術靈活性、資源需求及開發周期 !Bb^M3iA  
n 完成頂層結構設計說明 -2y>X`1Y
n 確定關鍵的模塊(盡早開始) ~6Hi"w
n 確定需要的第三方IP模塊 W/<C$T4
n 選擇開發組成員 IsB=G-s
n 確定新的開發工具 6ieP` bct
n 確定開發流程/路線 >3y:cPTM5
n 討論風險 GhY MO6Q4
n 預計硅片面積、輸入/輸出引腳數  開銷和功耗 AJ85[~(lX
n 國軟檢測 芯片失效分析中心

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